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将界面态Wigner电子晶体超晶格与硫化钼等耦合。从而调控硫化钼载流子极性、垂直构建CMOS逻辑门。

将界面态Wigner电子晶体超晶格与石墨烯耦合。增强CNP附近Dirac费米子的费米速度，从而增大Landau能级间距，获得鲁棒性QHE。

上下表面均接近0度对齐的h-BN/graphene/h-BN异质结中，在整数填充-5、-6、-7 n0处（也即每个moiré超胞面积内填充5、6、7 个空穴）打开global gap。

制备出以单层硫化钼半导体沟道的鳍式场效应晶体管，将FinFET的沟道材料宽度减小至单原子层极限的亚纳米尺度（0.6 nm）。为后摩尔时代的场效应晶体管器件的发展提供了新方案。

二维极限下的GaTe半导体层状材料，能够在静电场调控下实现x和y方向电导率3个数量级的调控。演示了方向性存储原型器件：一次门电压写入，可以沿x和y方向读取两组数据。

研究发现少数层Cr2Ge2Te6是目前已知的首个拥有内禀自旋和电荷态密度双重双极可调特性的二维本征铁磁半导体材料。证实了基于二维范德华铁磁体的自旋场效应器件的可行性。

当超导纳米颗粒的网络被耦合于例如石墨烯等载流子浓度可调的二维电子气，在一定的低温下，体系能够达到尺寸不受限制的全局超导。该超导转变在零温极限下可通过门电压调制实现“超导－绝缘体”或“超导－金属”量子相变。

弹道输运的石墨烯－氮化硼二维材料平面异质结中，通过石墨门电压实现原子尺度平整的pn结。该体系符合了Veselago透镜的特征，即入射电子不经过任何散射到达pn结界面，并实现了电子负折射。该成果被Physics World杂志评为2016年度物理学十大突破之一。

采用倒置方法制备范徳华异质结，将高质量的隧穿绝缘体插层电极和半导体二维原子晶体。实现了门电压可调的，从‘pn’到‘Off’到‘np’再到‘fullpass’的，多工作态二极管。该体系首次实现了全固态低工作电压的双极硫化钼场效应管。